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IXGP15N120C

IXGP15N120C

Nur als Referenz

Teilenummer IXGP15N120C
PNEDA Teilenummer IXGP15N120C
Beschreibung IGBT 1200V 30A 200W TO220AB
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.246
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IXGP15N120C Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGP15N120C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGP15N120C, IXGP15N120C Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 576,61 KB)
PDFIXGP15N120C Datenblatt Cover
IXGP15N120C Datenblatt Seite 2 IXGP15N120C Datenblatt Seite 3 IXGP15N120C Datenblatt Seite 4 IXGP15N120C Datenblatt Seite 5

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IXGP15N120C Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieLightspeed™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.8V @ 15V, 15A
Leistung - max200W
Schaltenergie1.05mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge86nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/150ns
Testbedingung960V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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NGTB15N120LWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

229W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

72ns/165ns

Testbedingung

600V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 16A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

2.97mJ (on), 790µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/336ns

Testbedingung

850V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

STGW80H65FB-4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

414nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

84ns/280ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

STGB20V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

200µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/149ns

Testbedingung

400V, 20A, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

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-

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Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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