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IKD15N60RAATMA1

IKD15N60RAATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKD15N60RAATMA1
PNEDA Teilenummer IKD15N60RAATMA1
Beschreibung IGBT 600V 30A 250W TO252-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.724
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKD15N60RAATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKD15N60RAATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IKD15N60RAATMA1, IKD15N60RAATMA1 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 790,91 KB)
PDFIKD15N60RAATMA1 Datenblatt Cover
IKD15N60RAATMA1 Datenblatt Seite 2 IKD15N60RAATMA1 Datenblatt Seite 3 IKD15N60RAATMA1 Datenblatt Seite 4 IKD15N60RAATMA1 Datenblatt Seite 5 IKD15N60RAATMA1 Datenblatt Seite 6 IKD15N60RAATMA1 Datenblatt Seite 7 IKD15N60RAATMA1 Datenblatt Seite 8 IKD15N60RAATMA1 Datenblatt Seite 9 IKD15N60RAATMA1 Datenblatt Seite 10 IKD15N60RAATMA1 Datenblatt Seite 11

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IKD15N60RAATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 15A
Leistung - max250W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge90nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.16ns/183ns
Testbedingung400V, 15A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)110ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketPG-TO252-3

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Hersteller

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/160ns

Testbedingung

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

360ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

APT60GT60BRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

3.4mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

275nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/395ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IRGC14C40LD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IRGSL10B60KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

44A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 10A

Leistung - max

156W

Schaltenergie

140µJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

38nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/230ns

Testbedingung

400V, 10A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 8A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

460µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.3nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/40ns

Testbedingung

450V, 8A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

114ns

Betriebstemperatur

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Through Hole

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