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IXGN82N120B3H1

IXGN82N120B3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGN82N120B3H1
PNEDA Teilenummer IXGN82N120B3H1
Beschreibung IGBT 1200V 145A SOT-227
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.462
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGN82N120B3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGN82N120B3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
IXGN82N120B3H1, IXGN82N120B3H1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 191,45 KB)
PDFIXGN82N120B3H1 Datenblatt Cover
IXGN82N120B3H1 Datenblatt Seite 2 IXGN82N120B3H1 Datenblatt Seite 3 IXGN82N120B3H1 Datenblatt Seite 4 IXGN82N120B3H1 Datenblatt Seite 5 IXGN82N120B3H1 Datenblatt Seite 6

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IXGN82N120B3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)145A
Leistung - max595W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 82A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce7.9nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227B

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Hersteller

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Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

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-

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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-

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

1500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

40nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APT60GF120JRDQ3

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

149A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.08nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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