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FP15R12W1T4BOMA1

FP15R12W1T4BOMA1

Nur als Referenz

Teilenummer FP15R12W1T4BOMA1
PNEDA Teilenummer FP15R12W1T4BOMA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 600V 22A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.030
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 3 - Feb 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FP15R12W1T4BOMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFP15R12W1T4BOMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FP15R12W1T4BOMA1, FP15R12W1T4BOMA1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 955,56 KB)
PDFFP15R12W1T4BOMA1 Datenblatt Cover
FP15R12W1T4BOMA1 Datenblatt Seite 2 FP15R12W1T4BOMA1 Datenblatt Seite 3 FP15R12W1T4BOMA1 Datenblatt Seite 4 FP15R12W1T4BOMA1 Datenblatt Seite 5 FP15R12W1T4BOMA1 Datenblatt Seite 6 FP15R12W1T4BOMA1 Datenblatt Seite 7 FP15R12W1T4BOMA1 Datenblatt Seite 8 FP15R12W1T4BOMA1 Datenblatt Seite 9 FP15R12W1T4BOMA1 Datenblatt Seite 10 FP15R12W1T4BOMA1 Datenblatt Seite 11

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FP15R12W1T4BOMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)28A
Leistung - max130W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.25V @ 15V, 15A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce890pF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Leistung - max

176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT200A602G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

290A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP2

Lieferantengerätepaket

SP2

FP10R12W1T4B29BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTGF30A60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Leistung - max

140W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.35nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

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