IXGH40N120C3
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXGH40N120C3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXGH40N120C3 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 75A 380W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 81.214 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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IXGH40N120C3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGH40N120C3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGH40N120C3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 4.4V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 380W |
| Schaltenergie | 1.8mJ (on), 550µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 142nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17ns/130ns |
| Testbedingung | 600V, 30A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXGH) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.76V @ 15V, 120A Leistung - max 160W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/176ns Testbedingung 196V, 25A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 190A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A Leistung - max 625W Schaltenergie 456µJ (on), 635µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 165nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/85ns Testbedingung 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 94A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A Leistung - max 379W Schaltenergie 2.315mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/300ns Testbedingung 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
