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IXGH36N60B3C1

IXGH36N60B3C1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH36N60B3C1
PNEDA Teilenummer IXGH36N60B3C1
Beschreibung IGBT 600V 75A 250W TO247
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $62,6220
100 ---------- $59,6865
250 ---------- $56,7511
500 ---------- $53,8157
750 ---------- $51,3696
1.000 ---------- $48,9234
Auf Lager 38.621
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH36N60B3C1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH36N60B3C1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH36N60B3C1, IXGH36N60B3C1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 180,45 KB)
PDFIXGH36N60B3C1 Datenblatt Cover
IXGH36N60B3C1 Datenblatt Seite 2 IXGH36N60B3C1 Datenblatt Seite 3 IXGH36N60B3C1 Datenblatt Seite 4 IXGH36N60B3C1 Datenblatt Seite 5 IXGH36N60B3C1 Datenblatt Seite 6

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IXGH36N60B3C1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 30A
Leistung - max250W
Schaltenergie390µJ (on), 800µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/125ns
Testbedingung400V, 30A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

395W

Schaltenergie

2.25mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/174ns

Testbedingung

400V, 75A, 8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

13.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 2A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

10.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 22A

Leistung - max

122W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/90ns

Testbedingung

300V, 22A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-83

Lieferantengerätepaket

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STGP6NC60H

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

20µJ (on), 68µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/76ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

430A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

3.77mJ (on), 1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/120ns

Testbedingung

400V, 80A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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