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IXGH30N60BD1

IXGH30N60BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH30N60BD1
PNEDA Teilenummer IXGH30N60BD1
Beschreibung IGBT 600V 60A 200W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.178
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IXGH30N60BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH30N60BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH30N60BD1, IXGH30N60BD1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 114,39 KB)
PDFIXGH30N60BD1 Datenblatt Cover
IXGH30N60BD1 Datenblatt Seite 2 IXGH30N60BD1 Datenblatt Seite 3 IXGH30N60BD1 Datenblatt Seite 4 IXGH30N60BD1 Datenblatt Seite 5

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IXGH30N60BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 30A
Leistung - max200W
Schaltenergie1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge110nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/130ns
Testbedingung480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/328ns

Testbedingung

600V, 40A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-46

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 28A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

92nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/210ns

Testbedingung

960V, 28A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

170µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/105ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

NGTG15N120FL2WG

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

294W

Schaltenergie

1.2mJ (on), 370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

109nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

64ns/128ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IGC13T120T8LX1SA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.07V @ 15V, 8A

Leistung - max

-

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-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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