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IXGH30N60B2

IXGH30N60B2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH30N60B2
PNEDA Teilenummer IXGH30N60B2
Beschreibung IGBT 600V 70A 190W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.922
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IXGH30N60B2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH30N60B2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH30N60B2, IXGH30N60B2 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 578,68 KB)
PDFIXGT30N60B2 Datenblatt Cover
IXGT30N60B2 Datenblatt Seite 2 IXGT30N60B2 Datenblatt Seite 3 IXGT30N60B2 Datenblatt Seite 4 IXGT30N60B2 Datenblatt Seite 5

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IXGH30N60B2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 24A
Leistung - max190W
Schaltenergie320µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge66nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.13ns/110ns
Testbedingung400V, 24A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

119nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/92ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

AOK60B65M3

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 60A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

2.6mJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

106nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/166ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

346ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

FGD3245G2-F085V

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

383µJ (on), 293µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

149nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/146ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGWA8M120DF3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 8A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

390µJ (on), 370µJ (Off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/126ns

Testbedingung

600V, 8A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

103ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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