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IXGH20N60B

IXGH20N60B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH20N60B
PNEDA Teilenummer IXGH20N60B
Beschreibung IGBT 600V 40A 150W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.986
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IXGH20N60B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH20N60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH20N60B, IXGH20N60B Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 114,65 KB)
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IXGH20N60B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 20A
Leistung - max150W
Schaltenergie150µJ (on), 700µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge90nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/150ns
Testbedingung480V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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IRGB5B120KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 6A

Leistung - max

89W

Schaltenergie

390µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

Testbedingung

600V, 6A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

RJH60F4DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 30A

Leistung - max

235.8W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/85ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

FGPF15N60UNDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Leistung - max

42W

Schaltenergie

370µJ (on), 67µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

43nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9.3ns/54.8ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

82.4ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

RGW00TK65GVC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Leistung - max

89W

Schaltenergie

1.18mJ (on), 960µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

141nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/180ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

IRGP4640DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

115µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/104ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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