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IXGH20N60B

IXGH20N60B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH20N60B
PNEDA Teilenummer IXGH20N60B
Beschreibung IGBT 600V 40A 150W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.986
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH20N60B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH20N60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH20N60B, IXGH20N60B Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 114,65 KB)
PDFIXGT20N60B Datenblatt Cover
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IXGH20N60B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 20A
Leistung - max150W
Schaltenergie150µJ (on), 700µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge90nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/150ns
Testbedingung480V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

265A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 21A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

3.43mJ (on), 430µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/200ns

Testbedingung

850V, 21A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

330ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

STGW30M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

258W

Schaltenergie

300µJ (on), 960µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31.6ns/115ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

AIKW50N65DF5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

490µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

1018nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/156ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

FGH40N6S2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

115µJ (on), 195µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

35nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/35ns

Testbedingung

390V, 20A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRGB5B120KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 6A

Leistung - max

89W

Schaltenergie

390µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

Testbedingung

600V, 6A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

NCP708MU330TAG

NCP708MU330TAG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 3.3V 1A 6UDFN

USBLC6-2SC6

USBLC6-2SC6

STMicroelectronics

TVS DIODE 5.25V 17V SOT23-6

BC807-16-7-F

BC807-16-7-F

Diodes Incorporated

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

SIT9102AI-243N25E200.00000X

SIT9102AI-243N25E200.00000X

SiTIME

MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVDS SMD

MT25QU128ABA8ESF-0SIT

MT25QU128ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2

74VHC14MTCX

74VHC14MTCX

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

L7815CD2T-TR

L7815CD2T-TR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 15V 1.5A D2PAK

GRM21AR72E102KW01D

GRM21AR72E102KW01D

Murata

CAP CER 1000PF 250V X7R 0805

4608X-102-332LF

4608X-102-332LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 3.3K OHM 8SIP

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206

SI7421DN-T1-E3

SI7421DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8

74LVX14MTCX

74LVX14MTCX

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP