IXFN110N85X
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| Teilenummer | IXFN110N85X |
| PNEDA Teilenummer | IXFN110N85X |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.578 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFN110N85X Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFN110N85X |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFN110N85X Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 850V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 110A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 55A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 425nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 17000pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1170W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227B |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
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Hersteller IXYS Serie PolarHV™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 400W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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