IXFN110N85X Datenblatt
IXFN110N85X Datenblatt
Total Pages: 5
Größe: 127,82 KB
IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXFN110N85X
|
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 850V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 425nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 17000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1170W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
