IXFK210N30X3
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| Teilenummer | IXFK210N30X3 |
| PNEDA Teilenummer | IXFK210N30X3 |
| Beschreibung | 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.768 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFK210N30X3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFK210N30X3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IXFK210N30X3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 210A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 105A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 375nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 24.2nF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1250W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-264 |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 350A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 175A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 640nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 830W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
Hersteller Vishay Siliconix Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9700pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-220ML Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
