SIHF9630STRL-GE3
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| Teilenummer | SIHF9630STRL-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIHF9630STRL-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 200V D2PAK TO-263 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.372 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 12 - Feb 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIHF9630STRL-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIHF9630STRL-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIHF9630STRL-GE3, SIHF9630STRL-GE3 Datenblatt
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SIHF9630STRL-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | * |
| FET-Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1036pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3110pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 94W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket P-TO251-3-1 Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.57nC @ 10V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6.6pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket 3-SPA Paket / Fall SC-72 |
Hersteller Cree/Wolfspeed Serie Z-FET™ FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 10A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47.1nC @ 20V Vgs (Max) +25V, -5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 928pF @ 800V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 134W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 135°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 706pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.03W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type F) Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad |
