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IXFH30N50Q3

IXFH30N50Q3

Nur als Referenz

Teilenummer IXFH30N50Q3
PNEDA Teilenummer IXFH30N50Q3
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.400
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IXFH30N50Q3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFH30N50Q3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFH30N50Q3, IXFH30N50Q3 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 132,89 KB)
PDFIXFT30N50Q3 Datenblatt Cover
IXFT30N50Q3 Datenblatt Seite 2 IXFT30N50Q3 Datenblatt Seite 3 IXFT30N50Q3 Datenblatt Seite 4 IXFT30N50Q3 Datenblatt Seite 5

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IXFH30N50Q3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id6.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3200pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)690W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXFH)
Paket / FallTO-247-3

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STF45N10F7

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1640pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

AOSP32314

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1420pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SCT2450KEC

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

585mOhm @ 3A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 900µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 18V

Vgs (Max)

+22V, -6V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

463pF @ 800V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

85W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

SIA447DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2880pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

19W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Single

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6

DMN26D0UFB4-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

230mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14.1pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

X2-DFN1006-3

Paket / Fall

3-XFDFN

Kürzlich verkauft

20CTQ045

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB

RB496EATR

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DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TSMD5

TPSD227K006R0100

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CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917

CY2309SXI-1H

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Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 9OUT 133MHZ 16SOIC

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Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

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Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 4A 24LFCSP

MSS1P4-M3/89A

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP

TAJE107M025RNJ

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EE-SX1109

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Omron Electronics Inc-EMC Div

SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD

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Linear Technology/Analog Devices

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