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IXEH40N120D1

IXEH40N120D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXEH40N120D1
PNEDA Teilenummer IXEH40N120D1
Beschreibung IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.578
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXEH40N120D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXEH40N120D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXEH40N120D1, IXEH40N120D1 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 95,99 KB)
PDFIXEH40N120D1 Datenblatt Cover
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IXEH40N120D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 40A
Leistung - max300W
Schaltenergie6.1mJ (on), 3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge150nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 40A, 39Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)180ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-247AD

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 80A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 1.76mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

345nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/90ns

Testbedingung

300V, 80A, 3.9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-264-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

64µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/259ns

Testbedingung

400V, 2A, 118Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

580A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 75A

Leistung - max

430W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

410nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

67A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

272W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/280ns

Testbedingung

800V, 25A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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