IXDN602SI
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| Teilenummer | IXDN602SI |
| PNEDA Teilenummer | IXDN602SI |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO |
| Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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IXDN602SI Ressourcen
| Marke | IXYS Integrated Circuits Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXDN602SI |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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IXDN602SI Technische Daten
| Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 35V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2A, 2A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 7.5ns, 6.5ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC-EP |
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