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ISL6208IRZ

ISL6208IRZ

Nur als Referenz

Teilenummer ISL6208IRZ
PNEDA Teilenummer ISL6208IRZ
Beschreibung IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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ISL6208IRZ Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL6208IRZ
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
ISL6208IRZ, ISL6208IRZ Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.402,93 KB)
PDFISL6208CR-T Datenblatt Cover
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ISL6208IRZ Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Logikspannung - VIL, VIH0.5V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)33V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)8ns, 8ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VQFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-QFN (3x3)

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Hersteller

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

6V, 9.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

9.4ns, 9.7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

14-DIP

FAN7080CM_F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

5.5V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

300mA, 600mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

40ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MAX5055BASA-T

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.1V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

32ns, 26ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

HIP2100EIBZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

4V, 7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

LM5134BSD/NOPB

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 12.6V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4.5A, 7.6A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3ns, 2ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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