IXDF404SI-16
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXDF404SI-16 |
| PNEDA Teilenummer | IXDF404SI-16 |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXDF404SI-16 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXDF404SI-16 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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IXDF404SI-16 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 35V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 4A, 4A |
| Eingabetyp | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 16ns, 13ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * Angetriebene Konfiguration - Kanaltyp - Anzahl der Treiber - Gate-Typ - Spannung - Versorgung - Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) - Eingabetyp - High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side Kanaltyp 3-Phase Anzahl der Treiber 3 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 7V ~ 15V Logikspannung - VIL, VIH 1V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) - Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 95V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 35ns, 30ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 290mA, 600mA Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 200V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 70ns, 35ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
