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IXDA20N120AS

IXDA20N120AS

Nur als Referenz

Teilenummer IXDA20N120AS
PNEDA Teilenummer IXDA20N120AS
Beschreibung IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.650
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXDA20N120AS Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXDA20N120AS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXDA20N120AS, IXDA20N120AS Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 211,2 KB)
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IXDA20N120AS Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)38A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 20A
Leistung - max200W
Schaltenergie3.1mJ (on), 2.4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge70nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 20A, 82Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

330µJ (on), 720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

214nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/140ns

Testbedingung

390V, 40A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

44ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

16A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 4A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/390ns

Testbedingung

800V, 4A, 120Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

170A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

700µJ (on), 2.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

66nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/300ns

Testbedingung

480V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

26ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

118A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

224A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/100ns

Testbedingung

433V, 45A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

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