Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXDA20N120AS

IXDA20N120AS

Nur als Referenz

Teilenummer IXDA20N120AS
PNEDA Teilenummer IXDA20N120AS
Beschreibung IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.650
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXDA20N120AS Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXDA20N120AS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXDA20N120AS, IXDA20N120AS Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 211,2 KB)
PDFIXDA20N120AS-TUB Datenblatt Cover
IXDA20N120AS-TUB Datenblatt Seite 2 IXDA20N120AS-TUB Datenblatt Seite 3 IXDA20N120AS-TUB Datenblatt Seite 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXDA20N120AS Datasheet
  • where to find IXDA20N120AS
  • IXYS

  • IXYS IXDA20N120AS
  • IXDA20N120AS PDF Datasheet
  • IXDA20N120AS Stock

  • IXDA20N120AS Pinout
  • Datasheet IXDA20N120AS
  • IXDA20N120AS Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXDA20N120AS Price
  • IXDA20N120AS Distributor

IXDA20N120AS Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)38A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 20A
Leistung - max200W
Schaltenergie3.1mJ (on), 2.4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge70nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung600V, 20A, 82Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRGC4059B

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

NGTB15N120LWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

229W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

72ns/165ns

Testbedingung

600V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

APT25GP90BDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

72A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/55ns

Testbedingung

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

APT45GR65SSCD10

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

118A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

224A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/100ns

Testbedingung

433V, 45A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D3Pak

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 10A

Leistung - max

280W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/130ns

Testbedingung

850V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

17ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

Kürzlich verkauft

T520V337M2R5ATE025

T520V337M2R5ATE025

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917

ACPL-064L-500E

ACPL-064L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH PUSH PULL 8SO

RB521S30T5G

RB521S30T5G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523

7M24000020

7M24000020

TXC

CRYSTAL 24MHZ 18PF SMD

PCA9617ADPJ

PCA9617ADPJ

NXP

IC REDRIVER I2C 1CH 1MHZ 8TSSOP

LT1965EDD#PBF

LT1965EDD#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.1A 8DFN

SUCS62405C

SUCS62405C

Cosel

DC DC CONVERTER 5V

ACPL-247-500E

ACPL-247-500E

Broadcom

OPTOISO 3KV 4CH TRANS 16SOIC

ADM1031ARQZ

ADM1031ARQZ

ON Semiconductor

IC SENSOR 2-TEMP/FAN CTRL 16QSOP

BAS16

BAS16

Panasonic Electronic Components

DIODE GEN PURP 80V 200MA SC59-3

DS1338U-33+

DS1338U-33+

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-USOP

BAT54C-7-F

BAT54C-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3