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IXBT42N170A

IXBT42N170A

Nur als Referenz

Teilenummer IXBT42N170A
PNEDA Teilenummer IXBT42N170A
Beschreibung IGBT 1700V 42A 357W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.616
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IXBT42N170A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBT42N170A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBT42N170A, IXBT42N170A Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 236,83 KB)
PDFIXBT42N170A Datenblatt Cover
IXBT42N170A Datenblatt Seite 2 IXBT42N170A Datenblatt Seite 3 IXBT42N170A Datenblatt Seite 4 IXBT42N170A Datenblatt Seite 5 IXBT42N170A Datenblatt Seite 6

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IXBT42N170A Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)42A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)265A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic6V @ 15V, 21A
Leistung - max357W
Schaltenergie3.43mJ (on), 430µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge188nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/200ns
Testbedingung850V, 21A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)330ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

62A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

139W

Schaltenergie

570µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/234ns

Testbedingung

400V, 15A, 21Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

279ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

63A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

125A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

3.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

127nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/284ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3P

RGTH40TK65DGC11

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

40nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/73ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

IKW30N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

227W

Schaltenergie

470µJ (on), 1.35mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

168nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/308ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

420W

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Gate Charge

345nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/240ns

Testbedingung

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

210ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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