ISL6615CBZ-T
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| Teilenummer | ISL6615CBZ-T |
| PNEDA Teilenummer | ISL6615CBZ-T |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 8-SOIC |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.642 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL6615CBZ-T Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL6615CBZ-T |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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ISL6615CBZ-T Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 6.8V ~ 13.2V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2.5A, 4A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 36V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 13ns, 10ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Logikspannung - VIL, VIH 0.5V, 4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 900mA, 1.1A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 50V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 32ns, 36ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® MLP33-10 Lieferantengerätepaket PowerPAK® MLP33-10 |
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