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SI9913DY-T1-E3

SI9913DY-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI9913DY-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI9913DY-T1-E3
Beschreibung IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SI9913DY-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI9913DY-T1-E3
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
SI9913DY-T1-E3, SI9913DY-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 181,87 KB)
PDFSI9913DY-T1-E3 Datenblatt Cover
SI9913DY-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI9913DY-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI9913DY-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI9913DY-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI9913DY-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI9913DY-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SI9913DY-T1-E3 Datenblatt Seite 8 SI9913DY-T1-E3 Datenblatt Seite 9 SI9913DY-T1-E3 Datenblatt Seite 10

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SI9913DY-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)1A, 1A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)30V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)30ns, 20ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.6A, 1.6A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

600ns, 600ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IRS2807DSPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

150ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

Power Integrations

Serie

SCALE™-2

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

14.5V ~ 15.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

20A, 20A

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

7ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IR2233S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

90ns, 40ns

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOIC

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.2A, 1.2A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

14ns, 13ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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