ISL6615AFRZ-T
Nur als Referenz
| Teilenummer | ISL6615AFRZ-T |
| PNEDA Teilenummer | ISL6615AFRZ-T |
| Beschreibung | IC MOSFET DRIVER N-CH 10DFN |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.470 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 27 - Apr 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL6615AFRZ-T Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL6615AFRZ-T |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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ISL6615AFRZ-T Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 6.8V ~ 13.2V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2.5A, 4A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 36V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 13ns, 10ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-VFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 10-DFN (3x3) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 3A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 28ns, 32ns Betriebstemperatur 0°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
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