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ISL6608IBZ-T

ISL6608IBZ-T

Nur als Referenz

Teilenummer ISL6608IBZ-T
PNEDA Teilenummer ISL6608IBZ-T
Beschreibung IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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ISL6608IBZ-T Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL6608IBZ-T
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
ISL6608IBZ-T, ISL6608IBZ-T Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 602,4 KB)
PDFISL6608IRZ-T Datenblatt Cover
ISL6608IRZ-T Datenblatt Seite 2 ISL6608IRZ-T Datenblatt Seite 3 ISL6608IRZ-T Datenblatt Seite 4 ISL6608IRZ-T Datenblatt Seite 5 ISL6608IRZ-T Datenblatt Seite 6 ISL6608IRZ-T Datenblatt Seite 7 ISL6608IRZ-T Datenblatt Seite 8 ISL6608IRZ-T Datenblatt Seite 9 ISL6608IRZ-T Datenblatt Seite 10 ISL6608IRZ-T Datenblatt Seite 11

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ISL6608IBZ-T Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)22V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)8ns, 8ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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ISL6209CBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.8V, 3.1V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

33V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 8ns

Betriebstemperatur

-10°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MIC44F19YML-TR

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

1.607V, 1.615V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VFDFN Exposed Pad, 8-MLF®

Lieferantengerätepaket

8-MLF® (2x2)

LTC4440EMS8E#PBF

Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1.3V, 1.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.4A, 2.4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

80V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MSOP-EP

IR21363SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

12V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

125ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOIC

MIC4427ZN

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 29ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

Kürzlich verkauft

MCP23S17T-E/SO

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Microchip Technology

IC I/O EXPANDER SPI 16B 28SOIC

LM2596DSADJR4G

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ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 3A D2PAK-5

EA DOGS102B-6

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Display Visions

LCD MOD GRAPH 102X64 BLUE

AD5934YRSZ

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Analog Devices

IC DDS 16.776MHZ 12BIT 16SSOP

WSL1206R0500FEA

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RES 0.05 OHM 1% 1/4W 1206

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FIXED IND 470NH 7A 16 MOHM SMD

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Renesas Electronics America Inc.

IC VREF SERIES 3.3V SOT23-3

WSL2512R0250FEA

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Vishay Dale

RES 0.025 OHM 1% 1W 2512

M93C46-WBN6

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STMicroelectronics

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