ISL6594DCRZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | ISL6594DCRZ |
| PNEDA Teilenummer | ISL6594DCRZ |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.788 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 23 - Feb 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL6594DCRZ Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL6594DCRZ |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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ISL6594DCRZ Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 6.8V ~ 13.2V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1.25A, 2A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 36V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 26ns, 18ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-VFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 10-DFN (3x3) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1A, 1A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 108V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 15ns, 15ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.9V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 200mA, 350mA Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 150ns, 50ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOIC |
Hersteller IXYS Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 30V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 9A, 9A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 25ns, 23ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Dialog Semiconductor GmbH Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.25V Logikspannung - VIL, VIH 0.4V, 5.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 32µA, 400µA Eingabetyp CMOS High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-TDFN (2x2) |
Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 3.5V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.3V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 7A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 14ns, 12ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-WSON (3x3) |
