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IS62WV25616DALL-55TLI

IS62WV25616DALL-55TLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS62WV25616DALL-55TLI
PNEDA Teilenummer IS62WV25616DALL-55TLI
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 6.408
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS62WV25616DALL-55TLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS62WV25616DALL-55TLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS62WV25616DALL-55TLI, IS62WV25616DALL-55TLI Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 373,71 KB)
PDFIS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Cover
IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 2 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 3 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 4 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 5 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 6 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 7 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 8 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 9 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 10 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 11

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IS62WV25616DALL-55TLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung1.65V ~ 2.2V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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Speichertyp

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1866MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Dual I/O

Taktfrequenz

50MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

97µs, 6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-XFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-USON (2x3)

BRCD016GWZ-3E2

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFBGA, CSPBGA

Lieferantengerätepaket

UCSP35L1

CY15B004Q-SXET

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, F-RAM™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

16MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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