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IS61QDB41M36A-250M3L

IS61QDB41M36A-250M3L

Nur als Referenz

Teilenummer IS61QDB41M36A-250M3L
PNEDA Teilenummer IS61QDB41M36A-250M3L
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS61QDB41M36A-250M3L Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61QDB41M36A-250M3L
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61QDB41M36A-250M3L, IS61QDB41M36A-250M3L Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 822,3 KB)
PDFIS61QDB42M18A-333M3LI Datenblatt Cover
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IS61QDB41M36A-250M3L Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QUAD
Speichergröße36Mb (1M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit8.4ns
Spannung - Versorgung1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-LFBGA (15x17)

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Micron Technology Inc.

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FLASH

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 2.8ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Zugriffszeit

5ns

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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MT29F1G08ABADAH4-ITE:D

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Winbond Electronics

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

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