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AS7C316096C-10BINTR

AS7C316096C-10BINTR

Nur als Referenz

Teilenummer AS7C316096C-10BINTR
PNEDA Teilenummer AS7C316096C-10BINTR
Beschreibung IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS7C316096C-10BINTR Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS7C316096C-10BINTR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS7C316096C-10BINTR, AS7C316096C-10BINTR Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 837,49 KB)
PDFAS7C316096C-10TIN Datenblatt Cover
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AS7C316096C-10BINTR Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße16Mb (2M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-LFBGA
Lieferantengerätepaket48-TFBGA (6x8)

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

500ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

800µs

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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