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IS61LP6432A-133TQLI

IS61LP6432A-133TQLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS61LP6432A-133TQLI
PNEDA Teilenummer IS61LP6432A-133TQLI
Beschreibung IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IS61LP6432A-133TQLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61LP6432A-133TQLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61LP6432A-133TQLI, IS61LP6432A-133TQLI Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 240,32 KB)
PDFIS61LP6436A-133TQ Datenblatt Cover
IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 2 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 3 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 4 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 5 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 6 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 7 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 8 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 9 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 10 IS61LP6436A-133TQ Datenblatt Seite 11

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IS61LP6432A-133TQLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße2Mb (64K x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit4ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-VFBGA

Lieferantengerätepaket

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TE28F256J3D95A

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

95ns

Zugriffszeit

95ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

W632GG8MB15I TR

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-VFBGA

Lieferantengerätepaket

78-VFBGA (10.5x8)

IS43LD32640B-25BPLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

Speichergröße

2Gb (64M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

168-VFBGA

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