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IS49RL36160-125EBL

IS49RL36160-125EBL

Nur als Referenz

Teilenummer IS49RL36160-125EBL
PNEDA Teilenummer IS49RL36160-125EBL
Beschreibung IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS49RL36160-125EBL Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS49RL36160-125EBL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS49RL36160-125EBL, IS49RL36160-125EBL Datenblatt (Total Pages: 115, Größe: 2.954,7 KB)
PDFIS49RL36160-093EBLI Datenblatt Cover
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IS49RL36160-125EBL Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieDRAM
Speichergröße576Mb (16M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung1.28V ~ 1.42V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall168-LBGA
Lieferantengerätepaket168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

3V ~ 15V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

Single Wire

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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