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IS46R16160F-5TLA1

IS46R16160F-5TLA1

Nur als Referenz

Teilenummer IS46R16160F-5TLA1
PNEDA Teilenummer IS46R16160F-5TLA1
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS46R16160F-5TLA1 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS46R16160F-5TLA1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS46R16160F-5TLA1, IS46R16160F-5TLA1 Datenblatt (Total Pages: 32, Größe: 1.495,17 KB)
PDFIS46R16160F-6BLA2 Datenblatt Cover
IS46R16160F-6BLA2 Datenblatt Seite 2 IS46R16160F-6BLA2 Datenblatt Seite 3 IS46R16160F-6BLA2 Datenblatt Seite 4 IS46R16160F-6BLA2 Datenblatt Seite 5 IS46R16160F-6BLA2 Datenblatt Seite 6 IS46R16160F-6BLA2 Datenblatt Seite 7 IS46R16160F-6BLA2 Datenblatt Seite 8 IS46R16160F-6BLA2 Datenblatt Seite 9 IS46R16160F-6BLA2 Datenblatt Seite 10 IS46R16160F-6BLA2 Datenblatt Seite 11

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IS46R16160F-5TLA1 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR
Speichergröße256Mb (16M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit700ps
Spannung - Versorgung2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket66-TSOP II

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Hersteller

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Rohm Semiconductor

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-SOJ

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Dual I/O

Taktfrequenz

65MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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