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IS46DR16640B-3DBLA2

IS46DR16640B-3DBLA2

Nur als Referenz

Teilenummer IS46DR16640B-3DBLA2
PNEDA Teilenummer IS46DR16640B-3DBLA2
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IS46DR16640B-3DBLA2 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS46DR16640B-3DBLA2
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS46DR16640B-3DBLA2, IS46DR16640B-3DBLA2 Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 1.060,92 KB)
PDFIS46DR81280B-3DBLA2 Datenblatt Cover
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IS46DR16640B-3DBLA2 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße1Gb (64M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit450ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall84-TFBGA
Lieferantengerätepaket84-TWBGA (8x12.5)

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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Technologie

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Speichergröße

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Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Hersteller

Winbond Electronics

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-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

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-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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STMicroelectronics

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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