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IS45S16160J-7TLA1

IS45S16160J-7TLA1

Nur als Referenz

Teilenummer IS45S16160J-7TLA1
PNEDA Teilenummer IS45S16160J-7TLA1
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS45S16160J-7TLA1 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS45S16160J-7TLA1
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS45S16160J-7TLA1, IS45S16160J-7TLA1 Datenblatt (Total Pages: 63, Größe: 980,06 KB)
PDFIS42S16160J-6TI Datenblatt Cover
IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 2 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 3 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 4 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 5 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 6 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 7 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 8 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 9 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 10 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 11

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IS45S16160J-7TLA1 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße256Mb (16M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFDFN Exposed Pad

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

144Kb (8K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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