IS43LD16128B-18BL
Nur als Referenz
Teilenummer | IS43LD16128B-18BL |
PNEDA Teilenummer | IS43LD16128B-18BL |
Beschreibung | IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ |
Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.058 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IS43LD16128B-18BL Ressourcen
Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IS43LD16128B-18BL |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Datenblatt |
IS43LD16128B-18BL, IS43LD16128B-18BL Datenblatt
(Total Pages: 145, Größe: 6.533,95 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IS43LD16128B-18BL Datasheet
- where to find IS43LD16128B-18BL
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-18BL
- IS43LD16128B-18BL PDF Datasheet
- IS43LD16128B-18BL Stock
- IS43LD16128B-18BL Pinout
- Datasheet IS43LD16128B-18BL
- IS43LD16128B-18BL Supplier
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributor
- IS43LD16128B-18BL Price
- IS43LD16128B-18BL Distributor
IS43LD16128B-18BL Technische Daten
Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Serie | - |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
Speichergröße | 2Gb (128M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | - |
Spannung - Versorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 134-TFBGA |
Lieferantengerätepaket | 134-TFBGA (10x11.5) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 72Mb (1M x 72) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 209-BGA Lieferantengerätepaket 209-FBGA (14x22) |
Renesas Electronics America Inc. Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 256b (16 x 16) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 1MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Microchip Technology Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit 200ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 32-SOIC |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 7ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-VFBGA Lieferantengerätepaket 90-VFBGA (8x13) |
Maxim Integrated Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100ns Zugriffszeit 100ns Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 32-EDIP |