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DS1250AB-100+

DS1250AB-100+

Nur als Referenz

Teilenummer DS1250AB-100+
PNEDA Teilenummer DS1250AB-100
Beschreibung IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Hersteller Maxim Integrated
Stückpreis
1 ---------- $1.113,7398
50 ---------- $1.061,5332
100 ---------- $1.009,3267
200 ---------- $957,1201
400 ---------- $913,6147
500 ---------- $870,1092
Auf Lager 288
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DS1250AB-100+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS1250AB-100+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS1250AB-100+, DS1250AB-100+ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 236,32 KB)
PDFDS1250YP-100+ Datenblatt Cover
DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 2 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 3 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 4 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 5 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 6 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 7 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 8 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 9 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 10

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DS1250AB-100+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100ns
Zugriffszeit100ns
Spannung - Versorgung4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Lieferantengerätepaket32-EDIP

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

5GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.31V ~ 1.39V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

190-TFBGA

Lieferantengerätepaket

190-FBGA (10x14)

7134LA70J8/LT

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

52-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ms

Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-TSOP

IS61LV6416-8KL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ns

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-SOJ

CY7C1570SV18-400BZXC

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II+

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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