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IS42S32800J-7TLI-TR

IS42S32800J-7TLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S32800J-7TLI-TR
PNEDA Teilenummer IS42S32800J-7TLI-TR
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS42S32800J-7TLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S32800J-7TLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S32800J-7TLI-TR, IS42S32800J-7TLI-TR Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 948,46 KB)
PDFIS45S32800J-6BLA1 Datenblatt Cover
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IS42S32800J-7TLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße256Mb (8M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket86-TSOP II

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-PDIP

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Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

24Gb (384M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1866MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-TSOP II

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