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CY7C1019CV33-10ZXI

CY7C1019CV33-10ZXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1019CV33-10ZXI
PNEDA Teilenummer CY7C1019CV33-10ZXI
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 5.040
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1019CV33-10ZXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1019CV33-10ZXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1019CV33-10ZXI, CY7C1019CV33-10ZXI Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 457,16 KB)
PDFCY7C1019CV33-15ZXIT Datenblatt Cover
CY7C1019CV33-15ZXIT Datenblatt Seite 2 CY7C1019CV33-15ZXIT Datenblatt Seite 3 CY7C1019CV33-15ZXIT Datenblatt Seite 4 CY7C1019CV33-15ZXIT Datenblatt Seite 5 CY7C1019CV33-15ZXIT Datenblatt Seite 6 CY7C1019CV33-15ZXIT Datenblatt Seite 7 CY7C1019CV33-15ZXIT Datenblatt Seite 8 CY7C1019CV33-15ZXIT Datenblatt Seite 9 CY7C1019CV33-15ZXIT Datenblatt Seite 10

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CY7C1019CV33-10ZXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket32-TSOP II

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Micron Technology Inc.

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Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

200ns

Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

200µs

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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