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IS42S32800G-7BI

IS42S32800G-7BI

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S32800G-7BI
PNEDA Teilenummer IS42S32800G-7BI
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 6.516
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS42S32800G-7BI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S32800G-7BI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S32800G-7BI, IS42S32800G-7BI Datenblatt (Total Pages: 58, Größe: 955,17 KB)
PDFIS42S32800G-7BI Datenblatt Cover
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IS42S32800G-7BI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße256Mb (8M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall90-TFBGA
Lieferantengerätepaket90-TFBGA (8x13)

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 2.8ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

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Technologie

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5µs, 5ms

Zugriffszeit

-

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Spannung - Versorgung

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