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IS42S32400F-7BLI

IS42S32400F-7BLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S32400F-7BLI
PNEDA Teilenummer IS42S32400F-7BLI
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 3.042
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IS42S32400F-7BLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S32400F-7BLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S32400F-7BLI, IS42S32400F-7BLI Datenblatt (Total Pages: 60, Größe: 852,83 KB)
PDFIS42S32400F-7BI Datenblatt Cover
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IS42S32400F-7BLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (4M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall90-TFBGA
Lieferantengerätepaket90-TFBGA (8x13)

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Speichertyp

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Zugriffszeit

60ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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S34ML08G201TFI003

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Hersteller

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

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Paket / Fall

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