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IS25WQ040-JNLE

IS25WQ040-JNLE

Nur als Referenz

Teilenummer IS25WQ040-JNLE
PNEDA Teilenummer IS25WQ040-JNLE
Beschreibung IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 3.114
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS25WQ040-JNLE Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS25WQ040-JNLE
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS25WQ040-JNLE, IS25WQ040-JNLE Datenblatt (Total Pages: 65, Größe: 1.280,24 KB)
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IS25WQ040-JNLE Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite1ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

35ns

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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84-WBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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