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IS25WP128-JBLE

IS25WP128-JBLE

Nur als Referenz

Teilenummer IS25WP128-JBLE
PNEDA Teilenummer IS25WP128-JBLE
Beschreibung IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 22.326
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS25WP128-JBLE Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS25WP128-JBLE
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS25WP128-JBLE, IS25WP128-JBLE Datenblatt (Total Pages: 110, Größe: 1.677,36 KB)
PDFIS25WP032-JBLE Datenblatt Cover
IS25WP032-JBLE Datenblatt Seite 2 IS25WP032-JBLE Datenblatt Seite 3 IS25WP032-JBLE Datenblatt Seite 4 IS25WP032-JBLE Datenblatt Seite 5 IS25WP032-JBLE Datenblatt Seite 6 IS25WP032-JBLE Datenblatt Seite 7 IS25WP032-JBLE Datenblatt Seite 8 IS25WP032-JBLE Datenblatt Seite 9 IS25WP032-JBLE Datenblatt Seite 10 IS25WP032-JBLE Datenblatt Seite 11

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IS25WP128-JBLE Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße128Mb (16M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite800µs
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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-

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-

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Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

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-

Paket / Fall

-

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-

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

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*

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-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

71V67603S133BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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