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AS7C4098A-12TINTR

AS7C4098A-12TINTR

Nur als Referenz

Teilenummer AS7C4098A-12TINTR
PNEDA Teilenummer AS7C4098A-12TINTR
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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Auf Lager 2.916
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AS7C4098A-12TINTR Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS7C4098A-12TINTR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS7C4098A-12TINTR, AS7C4098A-12TINTR Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 257,56 KB)
PDFAS7C4098A-20TIN Datenblatt Cover
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AS7C4098A-12TINTR Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP2

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

16Mb (512K x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

56MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

54ns

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

512Mb (16M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

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