Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRLR120NTRR

IRLR120NTRR

Nur als Referenz

Teilenummer IRLR120NTRR
PNEDA Teilenummer IRLR120NTRR
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.032
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 20 - Jun 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRLR120NTRR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLR120NTRR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRLR120NTRR, IRLR120NTRR Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 179,28 KB)
PDFIRLR120NTRR Datenblatt Cover
IRLR120NTRR Datenblatt Seite 2 IRLR120NTRR Datenblatt Seite 3 IRLR120NTRR Datenblatt Seite 4 IRLR120NTRR Datenblatt Seite 5 IRLR120NTRR Datenblatt Seite 6 IRLR120NTRR Datenblatt Seite 7 IRLR120NTRR Datenblatt Seite 8 IRLR120NTRR Datenblatt Seite 9 IRLR120NTRR Datenblatt Seite 10 IRLR120NTRR Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRLR120NTRR Datasheet
  • where to find IRLR120NTRR
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRLR120NTRR
  • IRLR120NTRR PDF Datasheet
  • IRLR120NTRR Stock

  • IRLR120NTRR Pinout
  • Datasheet IRLR120NTRR
  • IRLR120NTRR Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRLR120NTRR Price
  • IRLR120NTRR Distributor

IRLR120NTRR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs185mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 5V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds440pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)48W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF7476

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2550pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

106nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3720pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

890W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

BSH207,135

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.52A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 9.6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

417mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

NVS4409NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

700mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

280mW (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-70-3 (SOT323)

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

IRLU8721-701PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

65A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1030pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

65W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

I-PAK (LF701)

Paket / Fall

TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

Kürzlich verkauft

MMSZ7V5T1G

MMSZ7V5T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123

BAT54CXV3T1G

BAT54CXV3T1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SC89-3

ATMEGA2561-16AI

ATMEGA2561-16AI

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 256KB FLASH 64TQFP

ATXMEGA16A4U-AU

ATXMEGA16A4U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 16KB FLASH 44TQFP

AON6266

AON6266

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN

PS2805-1-A

PS2805-1-A

CEL

OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 4SOIC

BAT54A-7-F

BAT54A-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

ULN2003ADR2G

ULN2003ADR2G

ON Semiconductor

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

STD03N

STD03N

Sanken

TRANS NPN DARL 160V 15A TO-3P-5

BZX84C3V3LT1G

BZX84C3V3LT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3

H5007

H5007

Pulse Electronics Network

MODULE SINGLE GIGABIT LAN 24SOIC

BC817-16

BC817-16

Diodes Incorporated

TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3