Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRL7472L1TRPBF

IRL7472L1TRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRL7472L1TRPBF
PNEDA Teilenummer IRL7472L1TRPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 375A
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.768
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 27 - Mär 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRL7472L1TRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRL7472L1TRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRL7472L1TRPBF, IRL7472L1TRPBF Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 527,46 KB)
PDFIRL7472L1TRPBF Datenblatt Cover
IRL7472L1TRPBF Datenblatt Seite 2 IRL7472L1TRPBF Datenblatt Seite 3 IRL7472L1TRPBF Datenblatt Seite 4 IRL7472L1TRPBF Datenblatt Seite 5 IRL7472L1TRPBF Datenblatt Seite 6 IRL7472L1TRPBF Datenblatt Seite 7 IRL7472L1TRPBF Datenblatt Seite 8 IRL7472L1TRPBF Datenblatt Seite 9 IRL7472L1TRPBF Datenblatt Seite 10 IRL7472L1TRPBF Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRL7472L1TRPBF Datasheet
  • where to find IRL7472L1TRPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRL7472L1TRPBF
  • IRL7472L1TRPBF PDF Datasheet
  • IRL7472L1TRPBF Stock

  • IRL7472L1TRPBF Pinout
  • Datasheet IRL7472L1TRPBF
  • IRL7472L1TRPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRL7472L1TRPBF Price
  • IRL7472L1TRPBF Distributor

IRL7472L1TRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieStrongIRFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.375A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.59mOhm @ 195A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs330nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds20082pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.8W (Ta), 341W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDIRECTFET L8
Paket / FallDirectFET™ Isometric L8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPU60R1K5CEAKMA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

49W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO251-3

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

DMN2300U-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.24A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

64.3pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

430mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2SK3048

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 35W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220D-A1

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

IPB054N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 58µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6600pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

115W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFS4310TRRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

130A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7670pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

0402N471F500CT

0402N471F500CT

Walsin Technology

CAP CER 470PF 50V C0G/NP0 0402

MAX5525ETC+T

MAX5525ETC+T

Maxim Integrated

IC DAC 10BIT V-OUT 12TQFN

ADUM1100ARZ

ADUM1100ARZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

MAX3232ESE+

MAX3232ESE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

CY2304SXI-1

CY2304SXI-1

Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 4OUT 133MHZ 8SOIC

FDV301N

FDV301N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

ADM695AR

ADM695AR

Analog Devices

IC SUPER MPU 4.65 100MA 16SOIC

ISL3259EIBZ-T

ISL3259EIBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

REF195GS

REF195GS

Analog Devices

IC VREF SERIES 5V 8SOIC

SI8233BB-D-IS

SI8233BB-D-IS

Silicon Labs

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC

IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

SMA6J33A-TR

SMA6J33A-TR

STMicroelectronics

TVS DIODE 33V 60.8V SMA