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IRL3705NSTRLPBF

IRL3705NSTRLPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRL3705NSTRLPBF
PNEDA Teilenummer IRL3705NSTRLPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 16.188
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IRL3705NSTRLPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRL3705NSTRLPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRL3705NSTRLPBF, IRL3705NSTRLPBF Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 297,67 KB)
PDFIRL3705NLPBF Datenblatt Cover
IRL3705NLPBF Datenblatt Seite 2 IRL3705NLPBF Datenblatt Seite 3 IRL3705NLPBF Datenblatt Seite 4 IRL3705NLPBF Datenblatt Seite 5 IRL3705NLPBF Datenblatt Seite 6 IRL3705NLPBF Datenblatt Seite 7 IRL3705NLPBF Datenblatt Seite 8 IRL3705NLPBF Datenblatt Seite 9 IRL3705NLPBF Datenblatt Seite 10 IRL3705NLPBF Datenblatt Seite 11

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IRL3705NSTRLPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.89A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98nC @ 5V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3600pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.8W (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

CSD18503Q5AT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2640pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 120W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSONP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

FQL40N50F

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

FRFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

460W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

2N6800U

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.75nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

800mW (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

18-ULCC (9.14x7.49)

Paket / Fall

18-CLCC

2SJ690-T1B-AT

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

119mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-96-3, Thin Mini Mold

Paket / Fall

SC-96

NP75P03YDG-E1-AY

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

141nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta), 138W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-HSON

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Kürzlich verkauft

SMAJ40CA

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Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMA

SMBJ45A-E3/52

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TVS DIODE 45V 72.7V DO214AA

MT29F1G08ABADAWP-IT:D

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

FDS6680AS

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

3214W-1-502E

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Bourns

TRIMMER 5K OHM 0.25W J LEAD TOP

US6K1TR

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Rohm Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

LTM4623IY#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 3A

SCMT22F505PRBA0

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CAPACITOR 5F 20% 5.5V THRU HOLE

MC33074DR2G

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IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

MPZ1608S221ATA00

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TDK

FERRITE BEAD 220 OHM 0603 1LN

SUD50P06-15L-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 50A TO252

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AT21CS01-STUM10-T

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