2N6800U
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| Teilenummer | 2N6800U |
| PNEDA Teilenummer | 2N6800U |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 400V 18LCC |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.870 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N6800U Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N6800U |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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2N6800U Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.75nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Paket / Fall | 18-CLCC |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2866pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 105.3W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.2nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1926pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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