IRKT162/12
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRKT162/12 |
| PNEDA Teilenummer | IRKT162-12 |
| Beschreibung | SCR DBL HISCR 1200V 160A INTAPAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.560 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRKT162/12 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRKT162/12 |
| Kategorie | Halbleiter › Thyristoren › Thyristoren - SCRs - Module |
| Datenblatt |
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IRKT162/12 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Struktur | Series Connection - SCR/Diode |
| Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR, 1 Diode |
| Spannung - Aus Zustand | 1.2kV |
| Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 160A |
| Current - On State (It (RMS)) (max.) | 355A |
| Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 2.5V |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 4870A, 5100A |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 200mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | INT-A-PAK (3 + 4) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Struktur Single Anzahl der SCRs, Dioden 1 SCR Spannung - Aus Zustand 3600V Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) 1900A Current - On State (It (RMS)) (max.) 29900A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) 2.5V Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 350mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) 44000A @ 50Hz Current - Hold (Ih) (Max) 350mA Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AE |
