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T1601N32TOFXPSA2

T1601N32TOFXPSA2

Nur als Referenz

Teilenummer T1601N32TOFXPSA2
PNEDA Teilenummer T1601N32TOFXPSA2
Beschreibung SCR MODULE 3600V 29900A DO200AE
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.734
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T1601N32TOFXPSA2 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerT1601N32TOFXPSA2
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
T1601N32TOFXPSA2, T1601N32TOFXPSA2 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 245,46 KB)
PDFT1601N32TOFXPSA2 Datenblatt Cover
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T1601N32TOFXPSA2 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand3600V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)1900A
Current - On State (It (RMS)) (max.)29900A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)350mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)44000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max)350mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AE

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

540A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

845A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

18000A, 17000A

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

POW-R-BLOK™ Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 2 Diodes

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

15A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

65mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

190A, 210A

Current - Hold (Ih) (Max)

100mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

PWS-E1

T2351N52TOHXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

5.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

3110A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

3530A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

55000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

TT61N08KOFB2HPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

76A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

120A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.4V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

120mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1550A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

VS-VSKT91/08

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

95A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

210A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2000A, 2094A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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