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IRKH142/12

IRKH142/12

Nur als Referenz

Teilenummer IRKH142/12
PNEDA Teilenummer IRKH142-12
Beschreibung SCR DBL LOSCR 1200V 140A INTAPAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.096
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRKH142/12 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRKH142/12
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
IRKH142/12, IRKH142/12 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 381,02 KB)
PDFIRKT162/16 Datenblatt Cover
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IRKH142/12 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
StrukturSeries Connection - SCR/Diode
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR, 1 Diode
Spannung - Aus Zustand1.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)140A
Current - On State (It (RMS)) (max.)310A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)150mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)4500A, 4712A
Current - Hold (Ih) (Max)200mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallINT-A-PAK (3 + 2)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

400V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

250A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

555A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

8500A, 8900A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MAGN-A-PAK

TT250N12KOFKHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

250A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

410A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

8000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

VS-VSKN56/12

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

60A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

135A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1200A, 1256A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

T280N65TOFXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

6.5kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

620A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

440A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

350mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

5800A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

350mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

TT104N12KOFAHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Common Anode - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

104A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

160A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.4V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

120mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2050A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

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