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IRGS14C40LTRLP

IRGS14C40LTRLP

Nur als Referenz

Teilenummer IRGS14C40LTRLP
PNEDA Teilenummer IRGS14C40LTRLP
Beschreibung IGBT 430V 20A 125W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.310
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRGS14C40LTRLP Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGS14C40LTRLP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGS14C40LTRLP, IRGS14C40LTRLP Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 160,21 KB)
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IRGS14C40LTRLP Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)430V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.75V @ 5V, 14A
Leistung - max125W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge27nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.900ns/6µs
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

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ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 20A

Leistung - max

341W

Schaltenergie

480µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/170ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

420V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

650ns/13.5µs

Testbedingung

300V, 10A, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

138nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/115ns

Testbedingung

480V, 40A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRG4PH20KD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

620µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/100ns

Testbedingung

800V, 5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

51ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 36A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

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Gate Charge

113nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Reverse Recovery Time (trr)

25ns

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